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NTLJD3182FZ
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
600
400
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
C iss
5
4
3
QT
V GS
200
2
Q GS
Q GD
0
0
5
10
15
C oss
C rss
20
1
0
0
1
2
3
4
I D = ? 3.8 A
T J = 25 ° C
5
6
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage versus Total Charge
1000
100
V DD = ? 5.0 V
I D = ? 2.0 A
V GS = ? 4.5 V
t d(off)
t f
2
1.5
1
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
10
t d(on)
0.5
1
1
10
100
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
100
10
1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
100 m s
1 ms
10 ms
0.1
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
dc
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
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